IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET é um SiC MOSFET de nível industrial, de comutação única, que exibe características de ciclo de energia e comportamento de comutação muito rápido e de baixa perda. Este MOSFET apresenta baixas perdas de condução, baixos requisitos de potência de acionamento de porta e baixo esforço de gerenciamento térmico e é otimizado para controle de porta. O IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET é usado para fontes de alimentação de modo de comutação industrial de alta velocidade. Este SiC MOSFET é ideal para inversores solares, fontes de alimentação de modo de comutação, UPS, acionamentos de motor, conversores CC/CC, infraestrutura de carregamento de EV e aquecimento por indução.
