O FET de Nitreto de Gálio (GaN) Bidirecional Nexperia GANB8R0-040CBA é um Transistor de Alta Mobilidade Eletrônica (HEMT) de GaN bidirecional de 40 V e 8,0 mΩ alojado em um Pacote em Escala de Chip em Nível de Wafer (WLCSP) compacto de 1,7 mm x 1,7 mm. Este dispositivo em modo de aprimoramento normalmente desligado oferece uma velocidade de comutação ultra-alta e baixa resistência no estado ligado, tornando o Nexperia GANB8R0-040CBA ideal para aplicações que exigem gerenciamento de energia eficiente e alta densidade de potência. A capacidade bidirecional e o desempenho superior do dispositivo o tornam adequado para uso em interruptores de carga alta, proteção contra sobretensão e conversores CC-CC.
