Os Transistores CoolGaN™ G3 da Infineon Technologies são projetados para oferecer desempenho superior em aplicações de alta densidade de potência. Esses transistores apresentam uma resistência no estado ligado muito baixa, permitindo conversão de energia eficiente e perdas de energia reduzidas. O IGC019S06S1 opera a 60 V com uma resistência no estado ligado de apenas 1,3 mΩ, tornando-o ideal para aplicações de alta corrente. Os modelos IGC025S08S1 e IGC037S12S1 estendem a faixa de tensão para 80 V e 120 V, respectivamente, mantendo baixas resistências no estado ligado de 2,5 mΩ e 3,7 mΩ. Todos os três modelos são alojados em encapsulamentos PQFN compactos, que aprimoram o gerenciamento térmico e suportam resfriamento duplo, garantindo uma operação confiável mesmo sob condições exigentes. Esses recursos tornam os Transistores CoolGaN G3 a melhor escolha para aplicações como telecomunicações, fontes de alimentação de data centers e sistemas de energia industriais.
