O HRF-AT4510 da honeywell (www.honeywell.com) consiste num atenuador CMOS de RF especialmente projetado para aplicações sem fio na indústria.(2007)
O atenuador de silício, inclui no mesmo chip funções de RF e CMOS em tecnologia SOI, de modo a fornecer a mesma performance de tecnologia GaAs.
As vantagens são o baixo custo e maior facilidade de integração que possibilita seu uso numa ampla gama de aplicações de RF que exijam precisão, velocidade e baixo consumo.
Na figura 1 temos o diagrama funcional do dispositivo.
Dentre as aplicações sugeridas pela Honeywell temos as estações radiobase de telefones celulares, PCS (Personal Communications Service) e GSM (Global System for Communications), equipamentos portáteis e WLAN (Wireless Local Area Network).
O dispositivo consiste num circuito de rF ativo formado por chaves FET de microondas que selecionam a rede passiva de atenuação, de modo a programar a atenuação do dispositivo.
A rede é projetada para manter 50 Ω de impedância de entrada e saída independentemente do ajuste da atenuação de modo a fornecer o melhor casamento com os dispositivos do restante do circuito.
A interface paralela digital são bufferizadas e protegidas contra ESD. Os níveis de dados colocados nessas entradas permitem a programação da atenuação do dispositivo.
Alteradores de Nível P1dB. Esse recurso tem uma configuração ótima de modo a operar com altos níveis de potência. Como pino Vss ligado ao terra assumido, o produto P1dB no nível baixo tem 20 dBm. Com Vss no negativo da alimentação, - 5 V, temos 7 db - 10 db de potência adicional.
As saídas podem operar com fontes de alimentação simples e dupla e o componente é fornecido em invólucro LPCC de 24 pinos. Mais informações podem ser obtidas no pdf do componente no próprio site do fabricante.
Na figura 2 temos o modo típico de aplicação.