Os FETs de Nitreto de Gálio (GaN) TP65H030G4Px 650V 30mΩ da Renesas Electronics estão disponíveis em encapsulamentos TOLT, TO247 e TOLL. Esses FETs GaN utilizam a plataforma Gen IV Plus SuperGaN®, que combina um HEMT GaN de alta tensão de última geração com um MOSFET de silício de baixa tensão para oferecer desempenho superior, acionamento padrão, facilidade de adoção e confiabilidade. Os semicondutores de potência GaN da Renesas Electronics oferecem soluções confiáveis e de alto desempenho em um amplo espectro de aplicações, variando de 25W a 10kW. A arquitetura exclusiva dos semicondutores de potência GaN da Renesas aproveita o desempenho inerente do GaN e oferece diversas opções de encapsulamento, incluindo PQFN compacto, encapsulamento TO robusto e diversos encapsulamentos de montagem em superfície com resfriamento inferior e superior. A arquitetura normalmente desativada, a ampla variedade de encapsulamentos e o front-end MOSFET de silício de baixa tensão integrado, que facilita a compatibilidade com drivers de silício padrão, criam uma adaptação ao GaN mais simples e econômica para desenvolvedores de sistemas.
