O Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET com driver integrado e proteção tem como alvo conversores de energia de modo chaveado e permite que os projetistas alcancem novos níveis de densidade de energia e eficiência. O LMG3522R050 integra um driver de silício que permite velocidades de comutação de até 150Vns. A TI oferece polarização de porta de precisão integrada, o que resulta em maior comutação SOA quando comparado a drivers de porta de silício discretos. Essa integração, combinada com o pacote de baixa indutância da TI, oferece toque mínimo e comutação limpa em topologias de fonte de alimentação com comutação rígida. A força ajustável do acionamento do gate permite o controle da taxa de variação de 15V/ns a 150V/ns. Este controle pode ser usado para controlar ativamente o EMI e otimizar o desempenho da comutação.
