Os FETs de carboneto de silicio (SiC) Qorvo UF4SC120023B7S G4 são dispositivos de 1200V, 23mΩ baseados em uma configuração de circuito 'cascode' exclusiva. Um SiC JFET normalmente ligado é empacotado nesta configuração com um Si MOSFET, produzindo um dispositivo SiC FET normalmente desligado. As características de gate-drive padrão do dispositivo permitem o uso de gate drivers prontos para uso, exigindo assim um redesenho mínimo ao substituir IGBTs de Si, dispositivos de superjunção de Si ou MOSFETs de SiC. Disponíveis em um invólucro D2PAK-7L que economiza espaço (permitindo montagem automatizada), esses dispositivos exibem uma carga de porta ultrabaixa e características excepcionais de recuperação reversa. Os FETs SiC Qorvo UF4SC120023B7S G4 são ideais para comutação de cargas indutivas e aplicações que exigem um acionamento de gate padrão.
