Os IGBTs trench de parada de campo PANJIT PTGH de alta velocidade 650V oferecem recursos superiores de comutação de alta velocidade com uma baixa tensão de saturação de 1,65V a TVJ +25°C. Os IGBTs PANJIT PTGH são embalados com baixo Qrr e um diodo de recuperação suave. Os IGBTs garantem desempenho eficiente com temperatura máxima de junção de TVJ +175°C. Os dispositivos são projetados para oferecer confiabilidade sob condições exigentes. Um coeficiente positivo VCEsat permite fácil uso em paralelo. Além disso, os IGBTs não contêm chumbo, cumprem as normas RoHS 2.0 da UE e utilizam um composto de moldagem verde em conformidade com as normas IEC 61249.
