Os transistores de efeito de campo de junção ou JFETs são empregados numa infinidade de aplicações como componentes discretos. Os tipos de baixo ruído exigidos pelas aplicações modernas exigem que estes componentes tenham invólucros compatíveis com as aplicações.
Assim, a Linear Integrated Systems incluiu na sua linha de componentes tipos que possuem invólucros apropriados que são mostrados na figura 1.
Os tipos apresentados são equivalentes pino a pino com os da séries Fairchild, Motorola, National e Siliconix-Vishay 2N5911. Os invólucros são TO-71 6L, TO-78 7L, PDIP 8L, SOIC 8L e SOT-23 6L
Destaques:
NATIONAL: 2N5911 & 2N5912
Baixo Ruído (10kHz) - en ~ 4nV/√Hz
Alta transcondutância (100MHz)- gfs ≥ 4000µS ABSOLUTE
Máximos Absolutos @ 25 °C (a não ser especifiado diferentemente)
Temperatura máxima de armazenamento - -55 to +150 °C
Temperatura de operação da junção: -55 to +150 °C
Máxima dissipação de potência (Total)4 500mW
Corrente máxima de dreno Gate - 50mA
Tensão máxima gate / dreno - -25V
Tensão máxima Gate / fonte- -25V
Veja que estes componentes são fornecidos em versões dual com dois transistores casados por invólucro.
A transcondutância varia entre 4 000 e 10 000 uS e a frequência de corte de 100 MHz. Na aplicação do par em modo diferencial o CMRR obtido é de 85 dB com tensões de 5 a 10 mA de dreno. A capacitância de entrada é de 5 pF.
Mais informações, inclusive acesso ao datasheet e compra podem ser obtidas no site da Mouser Electrronics no link:
https://pt.mouser.com/new/linear-integrated-systems/linear-integrated-systems-ls5911-ls5912-jfets/
