O MOSFET de canal N MaxSic™ da Vishay Semiconductors MXP120A080FW apresenta tensão de dreno-fonte de 1200 V, velocidade de comutação rápida e tempo de resistência a curto-circuito de 3 μs. Este MOSFET também apresenta dissipação de potência máxima de 139 W (Tc=25 °C) e corrente de dreno contínua de 29 A (Tc=25 °C). O MOSFET MXP120A080FW é livre de halogênio e está disponível em um pacote TO-247 3L. Este MOSFET é usado em carregadores, acionamentos de motores auxiliares e conversores CC-CC.
