A RFMD (RM Micro Devices) lançou em novembro de 2012 dois novos transistores de potência de RF com potências de 35 W(RFHA3942) e 65 W(RFHA3944) de tecnologia de nitreto de gálio para a faixa de 2,1 e 4 GHz.
Os novos transistores abrem uma nova linha que deve chegar a potências de 95 W, com lançamentos previstos para os próximos 12 meses. Os novos componentes visam o mercado de telecomunicações, apresentando ganhos de 15 dB e uma eficiência de pico maior do que 55%.
Datasheet pode ser baixado no site da RFMD em www.rfmd.com.
RFAH3942 - RFA3944 - Transistores de Potência de RF
