Destacamos neste artigo um controlador de MOSFET da Texas Instruments com características ideias para o controle de cargas de potência. Falaremos do controlador de diodo ideal LM74722-Q1 da Texas Instruments aciona e controla MOSFETs externos de canal N consecutivos para emular um retificador de diodo ideal com controle de caminho de alimentação LIGADO e DESLIGADO e proteção contra sobretensão.
Este artigo é baseado em informações obtidas no site da Mouser Electronics que disponibiliza este componente. Para informações detalhadas acesse:
https://br.mouser.com/new/texas-instruments/ti-lm74722-q1-ideal-diode-controller/
O Controlador LM74722-Q1
A ampla alimentação de entrada de 3V a 65V permite proteção e controle de ECUs alimentadas por bateria automotiva de 12V e 24V. O dispositivo pode proteger e suportar cargas de tensões de alimentação negativas até –65V.
Um controlador de diodo ideal integrado (GATE) aciona o primeiro MOSFET para substituir um diodo Schottky para proteção de entrada reversa e retenção de tensão de saída. Um forte regulador de reforço com comparadores de ativação e desativação rápida garante desempenho de comutação MOSFET robusto e eficiente durante testes automotivos, como ISO16750 ou LV124, onde uma ECU é sujeita a interrupções curtas de entrada e sinais de entrada sobrepostos AC de até 200kHz de frequência. Na figura 2 temos o diagrama simplificado de aplicação deste componente.
Uma baixa corrente quiescente de 35 µA (máximo) no Texas Instruments LM74722-Q1 em operação permite projetos de sistema sempre LIGADOS. Com um segundo MOSFET no caminho de alimentação, o dispositivo permite o controle de desconexão de carga usando um pino EN. A corrente quiescente reduz para 3,3 µA (máximo) com EN baixo. Usando um pino OV, o dispositivo possui um corte de sobretensão ajustável ou proteção de grampo de sobretensão.
Na figura 3 temos a aplicação com o diodo ideal e saída comutada.
O invólucro é de 12 pinos WSON DDR com top transparente. Na figura 4 mostramos este invólucro. A descrição dos pinos pode ser vista no datasheet acessado pelo link.
Destaques:
- AEC-Q100 qualificado com os seguintes resultados
* Grau 1 de temperatura do dispositivo (faixa de temperatura ambiente de operação de -40°C a +125°C)
* Dispositivo HBM classificação ESD nível 2
* Nível de classificação C4B do dispositivo CDM ESD
- Faixa de entrada de 3V a 65V
- Proteção de entrada reversa até –65V
- Baixa corrente quiescente 35µA (máx.) em operação
- Corrente de desligamento baixa de 3,3 µA (máx.) (EN = Baixa)
- Operação ideal de diodo com regulação de queda de tensão direta de 13mV
- Aciona MOSFETs externos back-to-back de canal N
- Regulador de impulso integrado de 30mA
- Retificação ativa até 200kHz
- Resposta rápida de 0,5 µs para bloqueio de corrente reversa
- Atraso de ativação do GATE de avanço rápido de 0,72 µs
- Proteção contra sobretensão ajustável
- Atende aos requisitos transitórios automotivos ISO7637 com um diodo TVS adequado
- Disponível em invólucro WSON de 12 pinos que economiza espaço
Aplicações:
- Proteção de baterias automotivas
- Controlador de domínio ADAS
- Amplificadores de áudio premium
