Os Photo MOSFETs Broadcom APML-600JV/JT são MOSFETs fotográficos de alta tensão projetados para aplicações automotivas. Esses MOSFETs consistem em um estágio de entrada de diodo emissor de luz infravermelha (LED) AlGaAs que é acoplado opticamente a um circuito detector de saída de alta tensão. Este detector consiste em um conjunto de diodos fotovoltaicos de alta velocidade e um circuito de driver para ligar/desligar dois MOSFETs discretos de alta tensão. O MOSFET fotográfico APML-600JV/JT liga (o contato fecha) com uma corrente de entrada mínima de 1,5mA através do LED de entrada. O MOSFET fotográfico é DESLIGADO (o contato abre) com uma tensão de entrada de 0,4V ou menos. Os MOSFETs APML-600JV/JT apresentam uma chave de sinal bidirecional compacta de estado sólido e são qualificados pela AEC-Q101. Os MOSFETs APML-600JV/JT fornecem isolamento reforçado e confiabilidade para fornecer isolamento de sinal seguro em aplicações automotivas e industriais de alta temperatura. Idealmente, esses MOSFETs são usados na medição/detecção de vazamento da resistência de isolamento da bateria e no Sistema de gerenciamento de bateria (BMS).
