Os CIs Gate-Driver 2EDB EiceDRIVER™ da Infineon Technologies incluem o 2EDB8259F e o 2EDBx259Y, projetados para acionar MOSFETs de Si e SiC e interruptores de alimentação GaN HEMT. A família de CIs de gate-driver isolados de canal duplo é oferecida em um pacote DSO com fuga de entrada para saída de 4 mm e facilita o isolamento primário empregando tecnologia de transformador sem núcleo (CT) no chip. As variantes 2EDBx279Y em um pacote DSO de 14 pinos oferecem maior fuga canal a canal. Os dispositivos são adequados para uso em aplicações com maior tensão de barramento ou graus de poluição e geralmente podem facilitar o roteamento de PCB.
