O onsemi NTHL045N065SC1 de Carbeto de Silício (SiC) é um MOSFET que usa uma tecnologia completamente nova e que oferece desempenho de comutação superior e alta confiabilidade em comparação com o Silício. Este MOSFET compacto do tamanho de um chip é projetado com baixa resistência ON e garante baixa capacitância e carga de porta. O MOSFET NTHL045N065SC1 apresenta alta eficiência, frequência de operação mais rápida, maior densidade de potência, EMI reduzida e tamanho do sistema reduzido. As aplicações típicas incluem fontes de alimentação de modo de comutação (SMPS), inversores solares, conversores DC-DC, UPS e armazenamento de energia.