Os MOSFETs GeneSiC Semiconductor 3300V SiC oferecem comutação rápida e eficiente com ringing reduzido em um invólucro otimizado com um pino de fonte de driver separado. Os 3300V SiC MOSFETs são projetados para serem compatíveis com drivers de portões comerciais e fornecem facilidade de paralelização sem uma fuga térmica. Os MOSFETs 3300V SiC oferecem baixas perdas de condução em todas as temperaturas, permitindo robustez superior e confiabilidade do sistema.
