Os ON Semiconductor Trench6 MOSFETs MV de canal N são MOSFETs de 30 V, 40 V e 60 V produzidos usando um processo avançado de trincheira de energia que incorpora a tecnologia Shielded Gate. Este processo foi otimizado para minimizar a resistência no estado e ainda manter um desempenho de chaveamento superior com o melhor diodo de corpo macio da classe.
