Em aplicações onde MOSFETs de canal N do lado da fonte devam ser excitados, existem diversas modos de se gerar uma tensão elevada exigida para esta aplicação. O método mais simples consiste em se usar um dobrador de tensão com uma bomba de cargas, conforme mostrado na figura 1.
O pino CLKOUT da MCU do PIC muda de estado numa freqüência igual a ¼ da freqüência do oscilador. Quando CLKOUT está no nível baixo, D1 é polarizado no sentido direto, conduzindo a corrente que carrega Cpump. Quando CLKOUT vai ao nível alto, D2 é polarizado no sentido direto, transferindo a carga para Cfilter. O resultado é uma tensão igual a duas vezes Vdd menos as duas quedas de tensão nos diodos. Esta técnica pode ser usada com um PWM ou qualquer I/O que mude de estado. Na figura 2 temos um circuito que pode ser usado para excitar dois FETs tanto do lado da fonte como do lado do terra.
A tensão de 5 V é usada para alimentar o microcontrolador. Usando este arranjo, o driver de MOSFETs pode ter aproximadamente 12 + (5 – Vdiodo) – Vdiodo Volts como tensão de alimentação e com isso é capaz de excitar MOSFETs dos dois lados.
O circuito descrito opera carregando C1 através de D1 com (5 V – Vdiodo) enquanto M2 está ligado, efetivamente conectando C1 à terra. Quando M2 desliga e M1 liga, um lado de C1 eswtará agora em 12 V e o outro em 12 V + (5V – Vdiodo). Com isso D2 liga e a tensão aplicada ao driver com FETs será de 12 V + (5 V – Vdiodo) – Vdiodo.
