A ST Microelectronics está apresentando um novo MOSFET de potência de alta eficiência especialmente indicado para aplicações que envolvem iluminação. (2007)
Sua baixa resistência em plena condução, além de excelente características dinâmicas de avalanche, o tornam ideal para se obter aplicações de alta eficiência nesse setor.
O novo componente, denominado STD11NM60N consiste num transistor de efeito de campo de potência com apenas 450 mΩ de Rds on, o que significa 55% a menos que os componentes equivalentes até então disponíveis.
Além disso, ele pode operar com tensões de 600 V e tem um limiar de comporta (Voltage Gate Threshold) muito baixo, da ordem de 2 V, podendo com essa tensão excitar cargas de correntes elevadas.
O novo componente também tem uma excelente dv/dt (taxa de crescimento da tensão) que, com as demais características do componente possibilita uma redução considerável no tamanho do dissipador de calor necessário à aplicação.
O STD11NM60N pode ser obtido em invólucros DPAK/IPAK assim como TO-220FP. Mais informações podem ser obtidas em www.st.com.
