O transistor de potência de nitreto de gálio (GaN) de modo de enriquecimento EPC2302 da Efficient Power Conversion (EPC) foi projetado para aplicações CC-CC de alta frequência para/de 40 V a 60 V e acionamentos de motores BLDC de 48 V. Este FET eGaN® apresenta resistência máxima de dreno-fonte (RDS(on)) de 1,8 mΩ e tensão de ruptura dreno-fonte (contínua) (VDS) de 100 V em um encapsulamento QFN de baixa indutância de 3 mm x 5 mm. O encapsulamento possui laterais molháveis e uma parte superior exposta para excelente gerenciamento térmico. A resistência térmica da parte superior do encapsulamento é de aproximadamente 0,2 °C/W, oferecendo excelente comportamento térmico e fácil resfriamento. O transistor de potência de modo de aprimoramento EPC2302 da EPC permite operação eficiente em diversas topologias, ao mesmo tempo que melhora a eficiência e economiza espaço.
