MOSFETs de potência são componentes fundamentais dos controles de potência e a cada momento os fabricantes estão lançando novos tipos com características melhoradas que possibilitam a realização de novos projetos que apresentam muitas vantagens em relação aos tipos disponíveis anteriores. Assim, os projetistas devem estar sempre atento ao lançamento desses novos tipos, pois podem significar muito para um projeto inovador. Menor consumo, maior potência, menor pegada e necessidade d e dissipadores.

Focalizamos então neste artigo um novo MOSFET, lançado pela Vishay/Siliconix e disponível na Mouser Electronics no link abaixo que deve certamente interessar os projetistas inovadores.

https://br.mouser.com/new/vishay/vishay-sijk140e-mosfet/?utm_source=newtoncbraga&utm_medium=display&utm_campaign=mini_article_pt&utm_content=vishay-sijk140e-mosfet 

 


 

 

 

O MOSFET Vishay / Siliconix SiJK140E de canal N (D-S) apresenta tecnologia de potência TrenchFET® Gen V. Este MOSFET otimiza a eficiência, e o RDS(on) minimiza a perda de energia durante a condução, garantindo uma operação eficiente.

O MOSFET SiJK140E é 100% testado em Rg e UIS. Este MOSFET de potência melhora a dissipação e reduz a resistência térmica (RthJC).

As aplicações típicas incluem retificação síncrona, automação, OR-ing e interruptores hot-swap, fontes de alimentação, controle de acionamento do motor e gerenciamento de bateria.

Esse componente para 40 V de tensão máxima dreno-fonte (D-S) tem uma resistência de condução de apenas 0,00047 ohms (4,7 mOhms). A corrente máxima é de 467 ohms, conforme mostra a tabela do datasheet do fabricante acessada através do site da Mouser.

 


 

 

 

No gráfico abaixo temos as características desse dispositivo de alta potência.

 


 

 

 

Uma característica deste tipo de dispositivo em circuito de comutação é a carga de gate, pois ela influi diretamente na velocidade de comutação. No gráfico abaixo temos essa característica para este dispositivo.

 


 

 

 

E é claro, como informação importante para projeto temos a área de operação segura (SOA) que sempre deve ser analisada quando trabalhamos com qualquer dispositivo de potência.

 


 

 

 

 

Destaques

 

Tecnologia de potência TrenchFET® Gen V

Leadership RDS(on) minimiza a perdas por condução

100% testado em Rg e UIS

FET de nível padrão

Melhora a dissipação de calor

 

 

ESPECIFICAÇÕES

40 V tensão dreno-fonte

±20 VGS tensão porta-fonte

-55 °C a 175 °C faixa de temperatura operacional

PowerPAK® pacote de 10 mm x 12 mm

Sem chumbo (Pb) e sem halogênio

 

 

APLICAÇÕES

Retificação síncrona

Automação

OR-ing e hot swap switch

Fontes de alimentação

Controle de acionamento do motor

Gerenciamento de bateria

 

Mais informações de como comprar na Mouser: veja um vídeo em

https://www.youtube.com/watch?v=fmJUUx3skLs 

 

 

 

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