Os MOSFETs de carboneto de silício (SiC) onsemi NVH4L095N065SC1 apresentam tecnologia avançada para melhor desempenho e confiabilidade de comutação. O onsemi NVH4L095N065SC1 possui baixa resistência ON e tamanho de chip compacto, resultando em capacitância e carga de porta reduzidas. O dispositivo também possui alta eficiência, operação rápida, maior densidade de potência, menos EMI e um tamanho de sistema menor.
