Os FETs GaN N-Channel da Central Semicondcutor se destacam em alta tensão e baixo rDS (ON), tornando-os ideais para aplicações eficientes de comutação suave. Os FETs GaN de semicondutores centrais vêm nas versões 100V (60A), 650V (11A) e 650V (17A). Os dispositivos estão disponíveis em embalagens práticas para montagem em superfície, em escala de chip e matrizes simples.
