Uma solução discreta, mas atual, é a que faz uso de transistores de efeito de campo de potência (Power-MOSFETs). Segundo os adeptos desta tecnologia, os MOSFETs de potência têm uma característica que se aproxima das válvulas antigas usadas nos amplificadores de áudio ultra lineares.
Tais amplificadores, de acordo com esses adeptos, possuem uma pureza de som que não é alcançada pelos equipamentos que fazem uso de transistores bipolares, circuitos integrados ou mesmo por outros que empregam tecnologias digitais. Segundo eles, esse tipo de amplificador tem uma qualidade de som muito mais pura, com uma taxa de distorção extremamente baixa.
Para os leitores que desejam ter qualidade de som, não importando a tecnologia, trazemos o circuito de um amplificador que tem uma solução interessante: um MOSFET de potência e um Darlington de Potência, dada justamente a dificuldade de se obter os MOSFETs de canal P. Alertamos, entretanto, que o par de transistores usado poderá não ser muito fácil de obter, o que deve ser levado em conta pelos montadores antes de iniciarem qualquer tipo de trabalho prático.
Esse circuito consiste em um seguidor de tensão com dreno comum e uma fonte de corrente com o Darlington NPN. A partir de uma corrente fixada em 2,2 A, ele pode fornecer uma potência de 17 W em um alto-falante de 8 ohms. No entanto, seu rendimento é baixo, pois ele precisa de algo em torno de 80 W da fonte para fornecer essa potência.
Na figura 1 temos o diagrama do circuito, que deve ser alimentado por fonte de 40 V com pelo menos 3 A de capacidade.
Como os transistores dissipam boa quantidade de calor devido ao baixo rendimento do circuito, eles devem ser montados em excelentes radiadores de calor. Uma sugestão de placa de circuito impresso é apresentada na figura 2.
Observe que o capacitor C, deve ser do tipo despolarizado e que os diodos zener são de 1 W. As tensões nos principais pontos do circuito são indicadas no diagrama.
Semicondutores:
Q1 - IRF350 ou equivalente - Power--MOSFET
Q2 -TIP141 -Transistor Darlington NPN de potência
Z1 - 18 V x 1 W - diodo zener
Z2 - 3V0 ou 3V3 - diodo zener de 1 W
Resistores:
R1 - 270 Ω x 1/2 W
R2 - 8,2 kΩ x 1/8 W
R3 - 12 kΩ x 1/8 W
R4 - 100 kΩ x 1/8W
R5 - 2,2 kΩ x 2 W
R6 - 1 Ω x 5 W - fio
R7 - 10 kΩ 1/8W
Capacitores:
C1 - 5,6 µF x 100 V - poliéster
C2 — 47 µF x 35 V - eletrolítico
C3 - 4 700 µF x 50 V - eletrolítico
C4 - 47 µF x 50 V - eletrolítico
C5— 10 µF x 100 V - poliéster
Diversos:
FTE - 8 Ω x 40 W - alto-falante Placa de circuito impresso, fonte de alimentação de 40 V x 3 A, fios, solda etc.
