Este circuito “memoriza” a tensão de entrada que fica armazenada no capacitor e é apresentada na saída do operacional com FET. O tempo de memorização da entrada depende das fugas do capacitor, que deve ser de poliéster e também da impedância de entrada do AO, que é da ordem de milhares de megohms. A linha de informação deve ser blindada para que não ocorram perdas. A perda do circuito é da ordem de 100 mV por hora.
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