Este circuito para um LASER semicondutor de alta potência foi obtido numa Poptronics de 1991. O transistor Q1 de potência pode ser um transistor de alta tensão com pelo menos 200 V de VCE montado em dissipador e o transformador tem corrente de secundário de 100 mA ou mais. O Laser alimentado pode ser de tipo equivalente e Q2 pode ser um BC547.
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