O efeito TMR ou Tunnel Magnetoresistance ocorre numa junção em que dois materiais ferromagnéticos são separados por um material isolante muito fino. Se essa separação isolante for muito fina, elétrons de um material magnético podem migrar para o outro
Pela física clássica esta é uma condição proibida que não pode ocorrer, o que significa que se trata de um fenômeno quântico. Assim, o túnel de magnetorresistência é um fenômeno puramente quântico .
O efeito final é que pelo controle da orientação dos campos magnéticos, pode-se comutar o fluxo de elétrons que passam pelo nanotúnel formado entre os dois materiais, ou seja, pode-se controlar magneticamente a corrente entre os dois materiais.
Componentes usando esta tecnologia já podem ser encontrados e são usados em diversas aplicações práticas como as MRAMs, um tipo de memória não volátil, além imãs para sensores.
