FET é o acrônimo para Field Effect Transistor ou Transistor de Efeito de Campo.
O FET é um dispositivo que pode ser usado nas mesmas aplicações que os transistores bipolares, ou seja, como amplificador, chave ou oscilador.
O FET básico é formado por uma peça de material semicondutor N no qual duas regiões P são formadas deixando entre elas um canal, conforme mostra a figura 1.
A corrente através do canal de material N pode ser controlada por uma tensão aplicada a material N.
Variações pequenas da tensão aplicada ao terminal de comporta (gate ou G) provocam então variações de corrente maiores entre o dreno (drain = d) e fonte (source = s).
O FET pode ser encontrado em dois tipos básicos: canal N e canal P conforme o material usado.
Este tipo básico de transistor de efeito de campo onde existe uma junção entre os materiais P e N é também chamado de FET de junção ou JFET.
O FET pode ser usado nas mesmas configurações básicas em que os transistores de junção são ligados, conforme mostra a figura 2.
Atenção: Os FETs são dispositivos sensíveis. Uma carga estática pode danificá-los. Nunca segure-os pelos terminais.
Na figura 3 mostramos os símbolos usados para representar os FETs assim como os aspectos mais comuns.
Observe que não existe nenhuma diferença na aparência externa dos transistores bipolares comuns e dos FETs.
Para saber qual é um ou qual é outro somente conhecendo o tipo ou tendo o diagrama do aparelho onde eles são usados.
As especificações elétricas dos FETs são importantes para se saber qual é o substituto numa aplicação ou ainda para se poder testar um que tenhamos em mãos. As principais especificações são:
a) Máxima tensão entre dreno e fonte (Vds)
É a máxima tensão que o transistor pode manusear sem queimar.
Para os tipos comuns está entre 20 e 60 V. Esta especificação também pode ser dada como Vds(max).
b) Máxima corrente de dreno (Id)
É a máxima corrente que pode atravessar o componente quando em operação.
c) Transcondutância
Trata-se da medida equivalente ao ganho dos transistores bipolares. A transcondutância é medida em Siemens (S). Em algumas publicações antigas e diagramas encontramos a antiga unidade mho (ohm escrita ao contrário ou o símbolo ômega "de cabeça para baixo").
d) Potência de dissipação (Pd)
É a mesma especificação dos transistores bipolares, sendo medida em watts.
Os JFETs são encontrados em circuitos onde sinais devam ser gerados, controlados ou amplificados. Eles tanto podem ser usados no modo linear, como amplificadores ou como chaves. Quando usar ou substituir um FET é importante conhecer o tipo, e se um substituto diferente for usado, é preciso saber qual é a disposição de seus terminais de comporta, dreno e fonte.
Os tipos mais comuns de FETs encontrados nos fornecedores locais são o MPF102 e BF245. Outros tipos já são mais raros, podendo ser obtidos mediante consulta.
Do livro Curso de Eletrônica – Eletrônica Básica de Newton C. Braga
Ver também:
• Transistores (49)
• Semicondutores (175)
• Campo elétrico (20)
• MOSFETs (437)
