Dispositivo semicondutor de óxido metálico (Metal-Oside Semiconductor) feito em um substrato P com os portadores de carga ativos são elétrons que migram entre regiões n que formam a fonte e o dreno. Na figura, um transistor NMOS.
Dispositivo semicondutor de óxido metálico (Metal-Oside Semiconductor) feito em um substrato P com os portadores de carga ativos são elétrons que migram entre regiões n que formam a fonte e o dreno. Na figura, um transistor NMOS.
