Transistores de Efeito de Campo MOS (Metal Oxide Semiconductor) ou MOSFETs são dispositivos derivados dos transistores de efeito de campo comuns, mas com algumas mudanças na sua estrutura.
Conforme mostra a figura 1, no MOSFET temos uma fina camada de óxido de metal (que dá nome ao dispositivo) que isola o substrato da região de comporta, em lugar da junção encontrada no JFET.
No entanto, o funcionamento do MOSFET é o mesmo: uma tensão aplicada no terminal de comporta provoca variações ou controla a corrente que flui entre o dreno e a fonte.
Isso significa que os MOSFETs podem ser usados nas mesmas aplicações que o JFET, mas com algumas vantagens.
Alerta: a camada de óxido que isola a comporta do substrato é extremamente fina e pode ser rompida por descargas estática. O simples toque dos dedos no terminal de um componente deste tipo pode provocar uma descarga estática que fura esta camada e danifica o componente.
Na figura 2 temos os símbolos adotados para representar os dois tipos de MOSFETs que existem além de seu aspecto mais comum.
Veja que também existem MOSFETs em que podemos integrar duas comportas, ou seja, podemos controlar a corrente entre o dreno e a fonte a partir de dois sinais diferentes.
Os MOSFETs comuns são dispositivos se baixa potência, sendo necessário que o montador tenha diagramas ou folhas de dados do fabricante para conhecer melhor um tipo com que esteja trabalhando.
Um MOSFET é identificado por um código de fábrica. Através dele pode-se chegar as folhas de especificações ou dados obtidos pela Internet e, com isso, saber como ele se comporta numa aplicação.
As principais características que devemos observar neste tipo de componente são:
a) Máxima tensão entre dreno e fonte (Vds)
É a máxima tensão que o transistor pode manusear sem queimar. Para os tipos comuns está entre 20 e 60 V. Esta especificação também pode ser dada como Vds(max).
b) Máxima corrente de dreno (Id)
É a máxima corrente que pode atravessar o componente quando em operação.
c) Transcondutância
Trata-se da medida equivalente ao ganho dos transistores bipolares. A transcondutância é medida em Siemens (S). Em algumas publicações antigas e diagramas encontramos a antiga unidade mho (ohm escrita ao contrário ou o símbolo ômega "de cabeça para baixo").
d) Potência de dissipação (Pd)
É a mesma especificação dos transistores bipolares, sendo medida em watts.
Os MOSFETs são encontrados em circuitos de áudio e alta frequência como, por exemplo, amplificadores, pequenos transmissores, alarmes, etc.
Em muitos equipamentos projetos as funções destes componentes estão embutidas em circuitos integrados. Alguns tipos de MOSFETs de baixa potência podem ser conseguidos nos fornecedores de maior porte.
Do livro “Curso de Eletrônica – Eletrônica Analógica” de Newton C. Braga
Ver também:
• Transistores (49)
• Transistores de efeito de campo (435)
• Semicondutores (175)
• Campo elétrico (20)
• Transcondutância (438)
