Acrônimo para Insulated-Gate Field-Effect Transistor ou Transistor de Efeito de Campo de Porta isolada. Os IGFETs podem ser de canal N Seta para dentro) ou canal P (seta para fora) e os substratos podem ter conexão interna ou externa.
Acrônimo para Insulated-Gate Field-Effect Transistor ou Transistor de Efeito de Campo de Porta isolada. Os IGFETs podem ser de canal N Seta para dentro) ou canal P (seta para fora) e os substratos podem ter conexão interna ou externa.
