Trata-se do acrônimo para Ferro-Electric Field-Effect Transistor ou transistor de efeito de campo ferroelétrico. Trata-se de um tipo de efeito de campo extremamente rápido que opera com baixas tensões podendo ser usado em memórias, já que armazena dados numa camada de material ferro magnético. Ainda não disponíveis no momento em que escrevemos este texto.
