Não é preciso dizer que, sabendo usar, o multímetro consiste num instrumento universal de teste capaz de ajudar na avaliação do estado de uma infinidade de componentes. No entanto, para que o multímetro mostre toda sua utilidade é preciso saber usá-lo. Assim, no teste de certos componentes como MOSFETs é preciso ter alguns cuidados no procedimento de teste e é justamente disto que falaremos neste artigo.
Os transistores de efeito de campo podem ser de dois tipos: enriquecimento e depleção, cujos símbolos são mostrados na figura 1.
Figura 1
Nos dois tipos, a corrente entre o dreno e a fonte é controlada pela tensão aplicada à comporta (gate). Observe que, em alguns casos um quarto terminal, ligado ao substrato é acrescentado. Se bem que seu comportamento elétrico num circuito seja o mesmo, o modo de testá-los é diferente. Podemos usar para o teste desses componentes multímetros comuns digitais analógicos numa escala R x 100 e medir a resistência
entre os seus terminais. Os procedimentos com a interpretação dos resultados são dados a seguir:
MOSFET de Depleção
Usando um ohmímetro na escala R x 100 meça a resistência entre o dreno e a fonte nos dois sentidos, ou seja, primeiro faça uma leitura e depois nova leitura invertendo as pontas de prova conforme mostra a figura 2.
Figura 2
As duas leituras de resistência nesta prova devem ser iguais. Depois, ligue a ponta de prova positiva do multímetro na comporta. Agora, encoste a ponta negativa inicialmente no dreno, medindo a resistência gate-dreno e depois no terminal de fonte, medindo a resistência gate-fonte, conforme mostra a figura 3.
Figura 3
As duas leituras devem ser de resistências próximas do infinito, ou seja, circuito aberto. Se o transistor tiver um terminal de substrato, ligue a ponta preta no terminal de substrato. Meça a resistência entre o substrato e o dreno e, além disso, entre o substrato e a fonte. A resistência medida deve ser infinita, conforme mostra a figura 4.
Figura 4
Invertendo as pontas de prova nas duas medidas anteriores deve-se encontrar uma baixa resistência, alguma coisa em torno de 1 k ohms.
MOSFET de Enriquecimento
Novamente, com o multímetro na escala de resistência Ohms x 100, meça a resistência entre o dreno e a fonte nos dois sentidos, conforme
mostra a figura 5. 
Figura 5
As duas medidas devem indicar uma resistência extremamente alto, próxima do infinito. Depois, conecte a ponta de prova positiva do
multímetro no terminal de comporta do transistor. Com a ponta negativa meça a resistência entre o gate e o dreno e entre on gate e a fonte. As
duas resistências, conforme mostra a figura 6, devem indicar uma resistência infinita.
Figura 6
Desligue o terminal negativo da comporta e ligue-o ao terminal de substrato. Medindo a resistência entre este terminal e dreno e depois
fonte, as leituras devem ser resistência infinita. Agora, ligue a ponta de prova positiva ao substrato e meça a resistência entre o dreno e o
substrato e depois entre a fonte e o substrato. As duas resistências devem ser infinitas. Invertendo as pontas de prova deveremos ter uma
medida de baixa resistência, da ordem de 1 k ohms.
Resultados Diferentes
Para todos os testes uma leitura de resistência baixa onde deveria ser alta indica um transistor em curto. Uma resistência da ordem de algumas centenas de quilohms ou alguns megohms onde deveria ser muito alta indica um transistor com fugas. Observamos também que a baixa resistência indicada nos testes pode ter valores diferentes dos indicados, conforme o tipo de componente. Uma resistência muito alta onde deveria ser baixa, indica um transistor aberto. Veja que estes são testes estáticos, nada revelando sobre o fato do transistor estar funcionando ou não. Ele indica apenas que a estrutura do componente não está danificada.
