Dois novos circuitos integrados com tecnologia integrada de drivers com MOSFTs foram apresentados em 2008 pela Vishay Intertechnology, sendo indicados especialmente para aplicações em conversores de barramento intermediário (IBC). Veja neste artigo as características dos SiP11205 e SiP11206.
A Vishay Intertechnology Inc. (www.vishay.com) anunciou recentemente dois novos circuitos integrados controladores para aplicações em conversores de barramento intermediário (IBC), os quais são os únicos chips do mercado a integrar drivers MOSFETs de alta tensão para 75 V em configuração de meia ponte com capacidade de manusear correntes de 1,6 A de pico, além de possuir um monitoramento de corrente em toda faixa e recursos de controle.
Os novos dispositivos receberam a denominação SiP11205 e SiP11206 sendo projetados para trabalhar no lado primário de uma ponte IBC em aplicações como redes e telecom, além de módulos de potência 1/16 e 1/8 onde barramentos padronizados de 48 V precisam ser convertidos em 12 V ou tensões intermediárias menores.
Os novos dispositivos simplificam os projetos e reduzem o custo da solução, eliminando a necessidade de controlador e MOSFETs separados, além de componentes de acoplamento e retificação.
Os SiP11205 e siP11206 reduzem tensões com uma eficiência maior que 95%. Eles aceitam tensões de entrada de 36 V a 75 V e confortavelmente podem suportar transientes de 100 V para 100 ms, de acordo com a ETSI-300-132-2. A freqüência de oscilação é programável entre 200 kHz e 1 MHz,a faixa mais ampla disponível na indústria e além disso eles podem ser sincronizados por um sinal externo de sincronismo. Na figura 1 temos um projeto típico de aplicação.
Um projeto de referência para a implementação de um módulo completo IBC capaz de manusear correntes de 15 A em 12 V e operando com mais de 95% de eficiência pode ser obtido no site da Vishay. A placa de demonstração e desenvolvimento pode ser obtida com o código Sip11205/206DB.
Conforme podemos ver pelo diagrama as saídas destes componentes são dotadas de recursos para a escitação direta de MOSFETs de potência de canal P, aceitando tensões de 42 a 55 V. Estes MOSFETS podem excitar dois conjuntos de MOSFETs de maior potência através de um transformador apropriado. O valor 100 V/100 ms indica que este circuito pode suportar esta tensão de pico por um intervalo não maior do que 100 ms.
O diagrama de blocos desses componentes é mostrado na figura 2.
Conforme podemos ver pelo diagrama de blocos, os componentes integram todas as funções necessárias a implementação de projetos com um mínimo de componentes externos. Observe a presença da função ULV on-chip dispensando a necessidade de etapas de regulagem externas.
Os dispositivos são encapsulados em invólucros mLP44-16 powePAK, ou TSSOP-16 PowerPAK.
Destaques:
* 36 a 75 V - faixa de tensões de entrada
* Suporta transientes de 100 V x 100 ms
* Pré-regulador para operação na partida
* Função ULVO on-chip
* Função soft-start programável
* Proteção contra sobretemperatura (160º C)
* Eficiência maior do que 95,5% para 42 a 55 V de entrada
* Regulação de linha melhor que 2% com 9 A
