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Um componente indicado pela International Rectifier (www.irf.com) para soluções de conectividade é o MOSFET de potência IRF6641, fornecido em invólucro MZ, conforme mostra a figura 1.
(figura 1)
Esse componente combina a mais recente tecnologia de MOSFETs de potência HEXFET com o encapsulamento DirectFET de modo a se obter a menor resistência no estado de plena condução num invólucro.
Esse componente tem as seguintes Características:
Vdss = 200 Vmax
Vgs = 20 Vmax
Rds(on) = 51 m? (10 V)
Qg = 34 nC
Qgd = 9,5 nC
Vgs(th) = 4,0 V
Esse componente é otimizado para aplicações em topologias DC-DC tipo push-pull numa ampla faixa de aplicações com tensões de entrada de 36 a 75 V.
Na figura 2 temos as características de comutação com a resistência no estado de condução em função da tensão de comporta.
Os principais destaques desse componente são:
- Compliante RoHS
- Sem chumbo
- Otimizado para retificação sincronizada
- Baixas perdas de condução
- Compatível com as técnicas de montagem em superfície existentes.
