Os MOSFETs de potência de canal N RS6/RH6 da ROHM permitem alta capacidade de manuseio de corrente com resistência reduzida do involucro. Os componentes em invólucros HSOP-8 e HSMT-8 fornecem simultaneamente baixa resistência ON e capacitância de carga de porta, minimizando a perda de energia. Operando dentro de uma faixa de temperatura de -55°C a +150°C, esses MOSFETs são ideais para aplicações de acionamento que operam com fontes de alimentação de 24 V/36 V/48 V.
