STP80N450K6 Power MOSFET de canal N para 800 V (COMD084)

Nosso componente em destaque é o Power MOSFET de canal N para 800 V da STMicroelectronics disponibilizado pela Mouser Electronics. O material dado a seguir foi elaborado com base no Datasheet do próprio fabricante e em informações da pela Mouser.

Para mais informações sobre o STP80N450K6 acesse os links:

https://br.mouser.com/new/stmicroelectronics/stm-stp80n450k6-n-channel-power-mosfet/ 

https://br.mouser.com/datasheet/2/389/en_flk6mdmesh1021-3043425.pdf 

O STP80N450K6 da STMicroelectronics é um MOSFET de potência de canal N de altíssima tensão projetado usando a última tecnologia MDmesh K6..Esta tecnologia é baseada em 20 anos de experiência da STMicroelectronics na tecnologia de superjunção. O resultado é a melhor resistência da classe por área e carga de porta para aplicações que exigem densidade de potência superior e alta eficiência.

O STP80N450K6 está disponível em incólucros TO-220, DFAK, IPAK e TO-220-FP. Veja figura 1 e datasheet pelo lik.

Figura 1 – Invólucro TO-220

Os principais destaques deste componente são:

- Excelente RDS(on) x área

- Excelente FOM (figura de mérito)

- Carga de porta ultra-baixa

- 100% testado em avalanche

- Protegido por Zener

Um dos recursos mais significativos do MDmesh K6 é uma resistência dreno-fonte RDS(on) melhor da categoria no invólucro DPAK. Isso permite mudar de uma solução de encapsulamento de furo passante para uma solução SMD obtendo um design mais compacto e reduzindo a altura da placa. Conforme mostrado na Figura 2.

Figura 2 – Comparação entre a Rds(on) das tecnologias MDmesh K6 e MDmesh K5

Com esta nova série foi obtida uma RDS(on) mais baixa de cerca de 60% em relação à tecnologia anterior na mesma solução de invólucro.

A comparação de eficiência entre o MDmesh K6, a tecnologia anterior K5 e o melhor concorrente foi realizada em um driver de LED de 100W baseado na topologia flyback. A Figura 3 mostra como o MDmesh K6 apresenta uma eficiência melhor em relação aos outros dois dispositivos avaliados. Este resultado é consistente com os valores de energia durante o desligamento (Eoff) e temperatura do gabinete (Tc) relatados na Tabela 1, referentes ao nível máximo de carga de 100W.

Figura 3 – Comparação de eficiência

Mais informações no datasheet pelo link no início do artigo.