Os Texas Instruments LMG3522R030 650V 30mΩ GaN FETs incluem um driver integrado e proteções para conversores de energia de modo de comutação. O LMG3522R030 integra um driver de silício que permite velocidades de comutação de até 150V/ns. O dispositivo implementa o viés de porta de precisão integrado da TI, resultando em SOA de comutação mais alta do que drivers de porta de silício discretos. Essa integração, combinada com o pacote de baixa indutância da TI, fornece comutação limpa e toque mínimo em topologias de fonte de alimentação com comutação rígida. Uma força de acionamento de porta ajustável permite o controle da taxa de variação de 20 V/ns a 150 V/ns, que pode ser usada para controlar EMI e otimizar o desempenho de comutação ativamente.
