O ROHM Semiconductor RA1C030LD WLCSP MOSFET é um MOSFET de canal N projetado com um invólucro de baixa resistência e alta potência. Este dispositivo possui uma tensão fonte-dreno de 20VDSS, corrente de dreno contínua de 3A e dissipação de 1W. O MOSFET RA1C030LD oferece tensão de acionamento de 1,8 V, proteção contra descarga eletrostática (ESD) de até 200 V (MM) e até 2 kV (HBM). Este MOSFET é adequado para circuitos de comutação, aplicações de bateria de célula única e aplicações móveis. O MOSFET RA1C030LD é livre de Pb, livre de halogênio e compatível com RoHS.
