Um dos problemas que a tecnologia dos LEDs enfrenta é o fato de que os LEDs são feitos de Arsento de Gálio (GaAS) e os transistores e circuitos integrados são feitos de silício.
Dessa forma não é possível fabricar ao mesmo tempo num único chip o circuito de controle dos LEDs e os próprios LEDs. Pelo menos não era até agora.
Engenheiros do Rensselaer Polytechnic Instititue desenvolveram o que será a próxima geração de tecnologia de LEDs,
O que eles conseguiram foi integrar um LED e um transistor de alta mobilidade eletrônica num chip de Nitreto de Gálio. Isso ocorre no dia 5 de junho.
Com a nova tecnologia será possível integrar o LED e o circuito de controle num único chip, e portanto num único processo de fabricação. Com isso, abrem-se portas para aplicações fantástica da tecnologia do LED em iluminação, sinalização e displays para o futuro pois o processo de fabricação descoberto é mais barato.
Isso vai significar que todo o circuito externo necessário ao controle do LED, composto de resistores, capacitores e eventualmente indutores vai desaparecer, com tudo integrado no próprio chip do LED.
Falta agora desenvolver outros componentes integrados no chip de Nitreto de Gálio de modo a se obter o circuito completo, mas isso é um desafio que os pesquisadores do Departamento de Engenharia de Sistemas elétricos e de Computação tentarão resolver.
Na figura 1 mostramos a estrutura desenvolvida que é ao mesmo tempo o LED e o transistor de alta mobilidade (HEMT). Veja a notícia completa em inglês no link abaixo.
