MOSFET de canal N de alta potência indicado para aplicações em comutação, DC e áudio. Este componente já possui um diodo de proteção interno. Suas Características:
Vdss = 200 V (Max)
Id = 16 A (max)
Rds(on): < 180 m?
IRF640
MOSFET de canal N de alta potência indicado para aplicações em comutação, DC e áudio. Este componente já possui um diodo de proteção interno. Suas Características:
Vdss = 200 V (Max)
Id = 16 A (max)
Rds(on): < 180 m?
