Os transistores de efeito de campo possuem características que permitem a realização de excelentes osciladores, como mostrado na figura, que opera de 4 a 18MHz. O transistor usado é um FET de junção, como o BF245 ou MPF102, e não há circuito tanque sintonizado. O choque de RF deve ter um impedância suficientemente alta na frequência de ressonância do cristal, para permitir a passagem do sinal para a saída. O cristal é do tipo fundamental e o sinal de saída variará de intensidade conforme a frequência. O consumo de corrente deste circuito é bastante baixo, inferior a 10 mA, e se houver pouco rendimento, pode-se suspeitar da inversão dos terminais D e S.
| Clique na imagem para ampliar |
