Este novo componente da Texas Instruments cujo datasheet está disponível em http://www.ti.com/lit/ds/symlink/csd19531kcs.pdf, consiste num MosFET de canal N de tecnologia NexFET para 100 V com uma corrente máxima de 100 A.
O novo componente é fornecido em invólucro TO220, com a pinagem mostrada na figura 1.
O novo transistor é uma carga de gate utra-baixa e uma baixa resistência térmica, sendo compliante com a norma RoHS.
Dentre as principais características destacamos:
Vds (tip) = 100 V
Qg = 37 nC
Vgs (tip) = 2,7 V
Rds(on) (Vgs 6 V) = 7,3 mΩ
Pd (dissipação) = 179 W (Max)
Idm (corrente pulsante de dreno) = 179 A (Max)
Figura 2 – Carga de gate x tensão gate-fonte
