TAN350 - Transistor de RF de Alta Potência - Microsemi (COM110)

Apresentamos esta documentação técnica com base em dados fornecidos pelo próprio fabricante em 2007. O então novo transistor de RF é indicado para aplicações de alta potência. Antes de usá-lo num novo projeto, verifique a sua disponibilidade no nosso mercado de componentes.

A Microsemi (www.microsemi.com) tem na sua linha de semicondutores o transistor TAN350 que se destaca nas aplicações em aviônica de RF de alta potência.

Esse componente consiste num transistor bipolar de base comum projetado para sistemas pulsantes na faixa de freqüências entre 900 e 1215 MHz.

O dispositivo tem uma metalização fina a ouro de modo a se obter melhor MTTF. O transistor ainda inclui um pré-casamento de entrada e saída para maior capacidade de ampliação de faixa.

 

Características:

* Dissipação máxima: 1450 W

* Tensão máxima entre coletor e base: 65 V

* Tensão máxima entre emissor e base: 2 V

* Corrente máxima de coletor: 40 A

* Potência de saída: 350 W (min)

* Potência de entrada: 70 w (max)

* Ganho de potência: 7,5 db (tip)

* Descasamento mínimo admitido para 1090 MHz: 3:1

* Ganho estático de corrente: 10 (min)

 

Na tabela abaixo as características de impedância para as diversas freqüências de operação:

 

 

DATASHEET

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