TK040N65Z MOSFET de Canal N para 650 V da Toshiba
Disponíveis através da Mouser Electronics, os MOSFETs de canal N da Toshiba com tensões dreno-fonte de 650 V podem dissipar até 360 W e tem correntes de dreno até 228 A. A resistência típica de condução com 10 V e 28,5 A é de 0,033 ohm.
