MOSFET de canal N de alta potência indicado para aplicações em comutação, DC e áudio. Este componente já possui um diodo de proteção interno. Suas Características:

Vdss = 200 V (Max)

Id = 16 A (max)

Rds(on): < 180 m?

 

 IRF640
IRF640

 

 

Datasheet do IRF640