No controle de dispositivos de alta potência alimentados pela rede de energia ou ainda a partir de corrente alternada trifásica de inversores, controles industriais, etc. são usados dispositivos semicondutores especiais. Esses dispositivos, formados basicamente por estruturas de 4 camadas pertencem à família dos tiristores.
Encontramos tiristores controlando cargas resistivas de alta potência como lâmpadas e elementos de aquecimento em estufas, fornos e outras aplicações industriais assim como controlando cargas indutivas como motores, transformadores inversores, solenoides e muitos outros dispositivos semelhantes.
Os elementos que formam esta família diferenciada de dispositivos 0semicondutores possuem características elétricas específicas que precisam ser conhecidas do profissional que vai usá-lo.
Da mesma forma, os circuitos em que eles aparecem possuem configurações diferentes dos circuitos tradicionais que usam transistores e outros elementos semelhantes.
Isso implica na necessidade de uma tecnologia de interfaceamento dos dois tipos de circuito que leva a condições especiais críticas que o profissional deve conhecer.
Nos capítulos anteriores estudamos alguns desses dispositivos como o SCR, GTO, Triac e Quadrac. Neste capítulo veremos alguns mais, completando nosso conjunto de semicondutores de potência do grupo dos Tiristores.
SUS
SUS é o acrônimo para Silicon Unilateral Switch ou Chave Unilateral de Silício. Trata-se de um dispositivo semicondutor da família dos tiristores usado em comutação.
Na figura 1 temos o símbolo usado para representar esse componente e seu circuito equivalente, que nos permite entender seu funcionamento.
Os SUS são usados no disparo de SCRs e na produção de pulsos (formas de onda), além de outras aplicações.
Como os SCRs e outros dispositivos da família os SUS consistem em chaves regenerativas com a diferença de que em sua comporta (gate) existe um diodo zener que determina a tensão de disparo do componente.
Outro fato que diferencia o SUS de um SCR é que seu disparo é feito pela comporta de anodo.
Em funcionamento, quando a tensão entre o anodo e o catodo tornar-se suficientemente positivo para produzir a condução do diodo zener, o SUS dispara, ou seja, passa de estado de desligado para o de plena condução, fluindo então uma corrente intensa entre o anodo e o catodo.
Normalmente o diodo zener interno existente nos SUS tem uma tensão de 7,4 V o que, levando-se em conta a barreira de potencial entre o anodo e a comporta, determina uma tensão de disparo da ordem de 8 V.
Para os casos em que se desejar uma tensão de disparo menor, basta ligar um diodo zener de valor apropriado entre a comporta e o catodo.
Os SUS têm as seguintes especificações principais:
Dissipação (Pd) – é a potência máxima que pode dissipar, normalmente expressa em miliwatts
Pico inverso de tensão (Vdrm) – é a maior tensão que pode ser aplicada no sentido inverso
Corrente máxima de anodo (IA) – é a corrente máxima que podem conduzir no disparo
Corrente de pico máxima de anodo (IAP) – é o valor de pico da corrente de anodo
Corrente máxima de comporta (IG) – é a corrente máxima que pode flui pelo terminal de comporta
A curva característica desse componente é mostrada na figura 2.
Observe que ela é semelhante a de um SCR, com a diferença de que a tensão de disparo é programada pelo comporta, ou da ordem de 7 V se ela for mantida desligada.
Os invólucros dos SUS são semelhantes ao de transistores. Na figura 3 temos um exemplo de um desses componentes, os 2N4984 e 2N4985, que não são muito comuns atualmente.
Os máximos absolutos deste componente, obtidos do datasheet são dados na figura 4.
Como se trata de componente unilateral, ou seja, conduz a corrente num único sentido, ele é indicado ao disparo de circuitos com SCRs, sendo ligado à sua comporta.
Na figura 5 temos um circuito típico de um controle de potência com um SCR e SUS.
SBS
SBS significa Silicon Bilateral Switch ou Chave bilateral de Silício.
Esse componente, da família dos tiristores, consiste num semicondutor usado principalmente em circuitos de comutação.
Na figura 6 temos o símbolo adotado para representar o SBS assim como os seus circuitos equivalentes.
O SBS, conforme podemos ver consta de dois SUS ligados em oposição, representados na figura por SCRs com disparo pelo anodo, ou disparo programado e zeners externos.
Assim, da mesma maneira que os SUS são usados nos circuitos de disparo de SCRs, os SBS são usados no disparo de Triacs, pois conduzem corrente nos dois sentidos.
O SBS funciona como um comutador acionado por tensão, no caso em que a tensão de disparo é determinada pelos zeners internos. Como temos dois zeners disparando dois SCRs a tensão de disparo pode ser tanto positiva como negativa.
A curva característica deste componente é mostrada na figura 7.
Seu funcionamento ocorre da seguinte forma:
Se o sinal aplicado à comporta for positivo em relação ao terminal A1 é o diodo zener 2 que conduz e deste modo, é disparado o SCR2.
Se o sinal for positivo em relação ao terminal A2, neste caso é o diodo zener 1 que conduz e o disparo é de SCR1.
Veja que a ligação externa de diodos zener entre a comporta e o anodo, desde que sua tensão seja menor que a do zener de disparo interno, permite alterar as características de disparo deste componente.
As principais características deste componente são especificadas da seguinte forma:
Dissipação (Pd) – é a potência máxima que podem dissipar, normalmente expressa em miliwatts
Corrente máxima de anodo (IA) – é a corrente máxima que podem conduzir no disparo
Corrente de pico máxima de anodo (IAP) – é o valor de pico da corrente de anodo
Corrente máxima de comporta (IG) – é a corrente máxima que pode flui pelo terminal de comporta
Os SBS são obtidos em diversos tipos de invólucros. Na figura 8 temos um exemplo, para o SBS 2N4992 da GE que não é um componente muito comum atualmente.
Na figura 9 temos os máximos absolutos desse componente do datasheet.
A tensão típica de disparo do SBS está entre 7 e 9 V, mas pode ser alterada pela polarização conveniente do gate.
Como O SBS pode conduzir a corrente em ambos os sentidos, ao disparar, ele é utilizado no disparo de Triacs enquanto o SUS é usado no disparo de SCRs.
Na figura 10 temos um circuito típico de aplicação em que o SBS e um Triac são usados num controle de potência (veja capítulo anterior).
DIAC
Os diacs são dispositivos comutadores de três camadas com a estrutura e símbolo mostrados na figura 11.
Como o dispositivo usa dois terminais apenas ligados em duas regiões P ele possui propriedades semelhantes quando polarizados nos dois sentidos.
Assim, em condições normais quando aplicamos ao diac uma tensão baixa, ela polariza uma das junções no sentido inverso de modo que muito pouca corrente circula pelo dispositivo.
No entanto, à medida que a tensão aumenta, a corrente de circula pelo componente aumenta pouco até o momento em que é atingida a tensão de ruptura da junção que está polarizada inversamente.
Neste momento o diac "liga" e sua resistência cai abruptamente ocorrendo a circulação de uma corrente intensa pelo dispositivo.
Na figura 12 temos a curva característica deste dispositivo que nos mostra que o disparo ocorre com a polarização em qualquer sentido, pois as duas junções possuem as mesmas características.
Mas, o interessante neste comportamento do diac é que ele possui características de trava (latch).
Uma vez que ele conduz a corrente intensamente, para que ela seja interrompida a tensão aplicada deve ser reduzida a zero.
Uma simples redução de valor desta tensão para um ponto antes daquele em que ocorre o disparo não o desliga.
Em resumo, o diac pode ser usado como uma chave de comutação muito rápida sensível à tensão.
Os diacs são amplamente utilizados no disparo de triacs em controles de potências e outras aplicações semelhantes.
Na figura 13 damos as características de dois diacs comuns assim como seu aspecto e característica.
Aproveitando as propriedades dos diacs eles são ligados aos triacs como dispositivos de disparo, pois quando atinge a tensão desejada, ele comuta rapidamente levando o triac a também disparar, conforme mostra a figura 14.
As tensões de disparo dos diacs comuns estão em torno dos 27 aos 37 volts e as correntes típicas de operação variam entre 10 e 20 mA.
Esta tensão de disparo pode ser facilmente descoberta com o circuito de prova da figura 15.
Outro circuito para se determinar o ponto de disparo de um diac usando um osciloscópio é mostrado na figura 16.
O diac é mais usado que os outros dispositivos de disparo, podendo ser encontrado em diversas aplicações práticas. Algumas dela são dadas a seguir como exemplo.
a) Disparador com retardo de fase
O circuito da figura 17 pode ser usado para disparar um triac ou ainda um comparador num projeto em que se necessite de um pouso que seja produzido exatamente em determinado ângulo de fase de um sinal senoidal aplicado à entrada.
O capacitor de 220 nF para a rede de 110 V e 470 nF para a rede de 220 V é dimensionado para se obter, com o ajuste do potenciômetro de 100 k ohms retardos entre 0 e 180 graus aproximadamente.
Para outras frequências dos sinais senoidais o capacitor deve ser recalculado.
Observe que o diac conduzirá e permanecer até que o sinal de entrada tenha sua passagem por zero. Entre o instante do disparo e este instante temos a descarga do capacitor através do resistor de carga e a produção do pulso de saída.
Isso significa que, se o resistor de carga não for corretamente dimensionado não haverá a descarga completa do capacitor e com isso o disparo no semiciclo seguinte ocorrerá com um ângulo menos e assim sucessivamente levando o circuito a um funcionamento de forma indesejada.
A amplitude do pulso de saída produzido por este circuito é a tensão de disparo do DIAC já que ela estará presente no capacitor neste instante.
b) Sensor de tensão
O circuito mostrado na figura 18 é disparado por uma tensão de entrada determinada pelo ajuste de P1. Evidentemente, a tensão aplicada nesta entrada deve ser igual ou maior que a necessária ao disparo do Diac.
O ajuste de P2 é feito para que tenhamos a corrente necessária a saturação do transistor quando o diac conduzir, sem que haja perigo de uma corrente excessiva de base que lhe cause dano.
O relé dependerá da tensão usada na alimentação e também do tipo de carga a ser controlada.
Lembramos mais uma vez a ação de latch deste circuito que significa que ele se mantém conduzindo quando a tensão de entrada cai abaixo do limiar do disparo. Para desligar é preciso que a tensão de entrada caia a zero ou abaixo do limiar.
c) Relé com Trava
A tensão de 30 V indicada neste projeto, mostrado na figura 19, na realidade, depende do diac usado. Ela deve ser levemente inferior àquela necessária ao seu disparo.
P1 ajusta a tensão de disparo. Esta tensão se soma à da bateria de modo a chegar ao necessário ao disparo do diac.
Quando isso ocorre, há a condução e a polarização do transistor que tem por carga de coletor um relé.
O potenciômetro ou trimpot P2 deve ser ajustado para se obter a corrente de saturação do transistor em função de seu ganho. O relé usado depende da tensão usada na sua alimentação e da corrente da carga que deve ser controlada.
PUT
PUT significa Programmable Unijunction Transistor ou Transistor Programável Unijunção. Trata-se de um dispositivo da família dos tiristores também destinado ao disparo de SCRs e Triacs.
Na figura 20 temos o símbolo adotado para representar este componente e sua estrutura equivalente.
Conforme podemos ver, apesar de se tratar de um “transistor”, seu símbolo lembra muito mais um diodo ou um SCR com um terminal de comporta ligado ao anodo.
Este transistor ou elemento de disparo conduz intensamente quando uma tensão entre seus terminais de anodo e catodo atinge um determinado valor.
Este valor, conforme mostra a figura 21 pode ser programado por uma rede resistiva ligada à comporta.
Se bem que possam ser encontrados ainda em algumas aplicações industriais os PUTs não são componentes muito comuns em nossos dias.
Na figura 22 temos a curva característica do PUT.
Observe que em Vp temos a tensão de disparo quando o dispositivo entra em condução.
A partir desse ponto, a tensão cai e a corrente aumenta até atingir a tensão de vale. Neste trecho temos um comportamento inverso de um resistor, ou seja, o dispositivo apresenta uma resistência negativa.
Este comportamento possibilita sua utilização em osciladores de relaxação, exatamente como um transistor unijunção ou mesmo uma lâmpada neon.
A velocidade de operação do transistor unijunção não é das maiores, o que significa que num oscilador de relaxação, ele não gera sinais que vão além de algumas dezenas de quilohertz.
Os PUTs são identificados por números de fábrica devendo ser consultadas as folhas de dados para se obter mais informações.
O PUT não é um dispositivo muito comum nos equipamentos modernos. Basicamente eles serão encontrados em circuitos nos quais se deseja gerar um sinal dente de serra de baixa freqüência.
Um PUT relativamente popular, mas não muito usado atualmente é o BRY39.
BRY39P – Transistor Programável Unijunção
Este componente é um PUT da Philips, pouco comum em nossos dias, mas bastante versátil em termos de aplicações. Na figura 23 a pinagem e características.
As características de resistência negativa do PUT, conforme vimos possibilitam seu uso em osciladores e outras aplicações. A seguir damos alguns exemplos.
Gerador Dente de Serra
O circuito mostrado na figura 24 usa um transistor programável unijunção (PUT) do tipo BRY39, e pode gerar frequências entre alguns hertz e algumas centenas de quilohertz.
A alimentação é de 9 a 12 V e no trimpot P2 deve ser ajustado o ponto de disparo e inclusive a linearidade. A frequência deve ser ajustada em P1.
Oscilador com PUT
O transistor programável unijunção do oscilador mostrado na figura 25 é o 2N6027 e a ele pode ser usado como componente básico de um oscilador unijunção nesta configuração de carga constante.
Gerador de Rampa Controlado por Tensão com PUT
Encontramos o circuito mostrado na figura 26 numa documentação sobre PUTs (Transistores Programáveis Unijunção) da Motorola de 1974.
O circuito faz com que o tempo varie entre 2 ms e 7,2 ms quando a tensão de entrada varia entre 5 e 20 V. PUTs equivalentes podem ser empregados e Q1 pode ser um BC557.
SIDAC
O SIDAC é um diodo (D) de silício (SI), indicado para aplicações em circuitos de corrente alternada (AC). É justamente isso que o acrônimo para Silicon Diode for Alternating Current indica.
Esse dispositivo possui uma característica de disparo semelhante a dos Diacs, mas com a capacidade de operar com tensões e correntes muito maiores.
Na figura 27 temos a curva característica desse componente.
O SIDAC é um componente bilateral, conforme podemos observar pelas curvas, o que justamente o torna apropriado para aplicações em AC.
Quando a tensão entre os terminais do SIDAC está abaixo de certo valor V(BO), ele se encontra bloqueado. Se a tensão ultrapassar esse valor, o dispositivo conduz e a tensão entre seus terminais cai para o valor de condução direta V(TM) da ordem de 1,1 V.
A corrente que ele pode conduzir nesse estado pode chegar a 10 A para pulsos curtos (10 us, 1 kHz de frequência de repetição).
Uma vez disparado, o dispositivo permanece nessa condição até que as condições de manutenção sejam ultrapassadas, ou seja, a corrente caia abaixo de certo valor ou a tensão aplicada também caia além de certo valor.
Para SIDACs típicos, como os fabricados pela ON ou NTE as tensões de ruptura podem ir de 45 a 250 V com correntes eficazes na faixa de 1 a 10 A.
Como eles podem conduzir correntes intensas no disparo eles são dispositivos ideais para o controle de tiristores (TRIACs e SCRs) de pequena sensibilidade em circuitos de potência. Dentre as aplicações mais importantes indicadas para os SIDACs podemos citar:
- Protetores de sobretensão
- Flashers de xenônio
- Osciladores de Relaxação
- Starters de lâmpadas de vapor de sódio
- Ignição de sistemas que usam gás natural ou óleo
- Fontes de alimentação de alta tensão
Na figura 28 temos informações sobre um SIDAC típico a partir de seu datasheet.
Observe que diferentemente dos demais dispositivos de disparo que estudamos, o SIDAC pode manusear corrente relativamente intensas.
A seguir, alguns circuitos práticos de exemplo.
A ON Semiconductor em um application note (AND8015/D) apresenta uma aplicação prática interessante para o seu SIDAC MKP1V120RL.
Conforme mostra a figura 29, esse componente pode ser usado para estender a vida útil de lâmpadas incandescentes comuns.
Se bem que as lâmpadas incandescentes comuns não sejam mais utilizadas em iluminação doméstica existem ainda equipamentos de diversos tipos como, por exemplo, pequenas estufas, chocadeiras, fontes de infravermelho e secadores que fazem uso deste tipo de dispositivo.
Um caso importante que é considerado ao se utilizar esse circuito, é que em lugares de difícil acesso, principalmente instalações externas, o custo e o trabalho de troca da lâmpada em caso de queima são significativos, devendo ser levado em conta o prolongamento de sua vida útil.
O dispositivo é ligado em série com a lâmpada e sua finalidade é diminuir a tensão RMS aplicada ao filamento e assim aumentar a durabilidade da lâmpada.
Também se deve considerar que uma leva redução da tensão RMS aplicada a lâmpada reduz o consumo de energia.
Segundo se afirma, a durabilidade da lâmpada pode ser aumentada entre 1,5 e 5 vezes, dependendo do tipo e potência. Nessa aplicação, como o SICAD comuta apenas com certa tensão, parte do semiciclo aplicado à lâmpada é cortada conforme mostra a figura 30.
Esse corte, diferentemente do que ocorreria com um redutor resistivo, não consume energia.
O ângulo de condução, utilizando-se um SIDAC para 120 V pode ficar entre 110 e 130 graus correspondendo à reduções de potência de 10 a 30%.
EMI
Deve-se observar que a comutação rápida de um SIDAC faz com que esse dispositivo gere interferência eletromagnética.
No caso prático de um circuito como o que mostramos, essa interferência vai aparecer principalmente em rádios AM que sejam ligados próximos da lâmpada.
Um filtro para redução desse ruído é mostrado na figura 31.
Será importante que a frequência de ressonância do circuito fique acima do limite audível para que ele não gere ruídos audíveis quando em funcionamento.
Na escolha do SIDAC para uma determinada lâmpada deve-se levar em conta o pico de corrente que ocorre quando ela é ligada e o filamento se encontra frio (com menor resistência).
Outros Circuitos
Na figura 32 temos um circuito de um Flasher Neon utilizando um SIDAC da Teccor.
Essa empresa fabrica SIDACs de 79 a 330 V para aplicações como essa.
Esse circuito nada mais é do que um oscilador de relaxação onde a frequência depende do resistor de carga do capacitor junto ao SICAD.
O resistor de 20 M (22 M padronizado) pode ter seu valor alterado em função da aplicação.
O transformador utilizado é do tipo de pulso de 4 kV para disparo de lâmpadas comuns de xenônio.
Na figura 33 temos um circuito de ignição de gás do tipo encontrado em fogões à gás comuns, gerando alta tensão também a partir de um oscilador de relaxação com um SIDAC.
Na figura 34 temos o circuito do oscilador de relaxação típico com SIDAC com as fórmulas que permitem calcular os valores dos seus componentes.
Veja que os valores máximos e mínimos de R são críticos dependendo basicamente da tensão de entrada e das tensões de disparo e manutenção do SIDAC, além das correntes envolvidas.
Observe também que a forma de onda desse circuito é dente-de-serra, mas com uma subida exponencial da tensão, dada pela carga do capacitor C.
LASCR
Os LASCR ou Light Activated SCRs são diodos controlados de silício, ou seja, SCRs, que podem ser disparados pela luz.
Seu princípio de funcionamento é simples: todas as junções semicondutoras são sensíveis à luz, que pode liberar portadores de carga e com isso aumentar a condução dos dispositivos.
Os SCRs comuns não são afetados pela luz, por estarem encerrados em invólucros opacos.
No entanto, no caso dos LASCRs, os invólucros são dotados de uma janela que possibilita a incidência de luz nas junções, ou então são fabricados em invólucros de plástico transparente como os foto-diodos e foto-transistores.
Com isso, a luz provoca um aumento na corrente de disparo até o momento de ocorrer a comutação. Na figura 35 temos o símbolo usado para representar este componente.
Atualmente, estes dispositivos não são muito usados, havendo alternativas para os projetos disparados por luz, daí não serem comuns.
Uma aplicação para estes dispositivos está nos relés de estado sólido já integrado com um emissor.
Disparadores e Chaves Ópticas
Basicamente um dispositivo desta família de componentes consiste num emissor de luz (um LED infravermelho, por exemplo) e um receptor que, dependendo da aplicação do dispositivo pode ser um fotodiodo, foto-transistor, foto-diac, foto-disparador, etc. Na figura 36 mostramos o princípio básico de operação desses dispositivos.
Em (a) temos um acoplador (disparador) óptico e em (b) uma chave óptica. Esses dispositivos se diferenciam pela sua forma de uso. Analisemos os principais casos.
Acopladores Ópticos
Num acoplador óptico temos um LED emissor e um elemento sensor encerrados num mesmo invólucro hermético que não pode receber luz externa, conforme mostra a figura 37.
Quando o LED recebe um sinal elétrico ele o transforma em luz, transferindo então pelo espaço para o foto-sensor.
Como esses elementos não mantêm contacto elétrico o isolamento entre o emissor e o sensor é enorme, alcançando tensões de 7 000 V ou mais para os tipos comuns, com uma resistência praticamente infinita.
Os acopladores ópticos podem ser usados de duas maneiras: linear e digital. Essas maneiras vão determinar o tipo de dispositivo sensor e a configuração do circuito externo.
Na aplicação linear ou analógica, o sinal a ser transferido do LED para o sensor deve manter sua forma de onda e fase. É o caso de um sistema de isolamento de sinais num modem em que os sinais não devem ter deformações, conforme mostra a figura 38.
Veja que neste caso, o elemento usado como sensor deve ter características lineares de resposta para o sinal luminoso que será modulado.
Foto-diodos e foto-transistores são os indicados para aplicações em altas e médias frequências. Para baixas frequências, obtendo-se maior sensibilidade podem ser usados foto-Darlingtons.
Na aplicação digital, o pulso de luz que o LED produz ao receber o comando externo representa um bit ou então simplesmente uma mudança do nível lógico que vai controlar um circuito externo, conforme mostra a figura 39.
Nas aplicações de controle e disparo de dispositivo de potência, podemos ter os acopladores ópticos diretamente ligados a dispositivos de potência como SCRs, TRIACs, IGBTs e Power-MOSFETs, formando relés de estado sólido, como o mostrado na figura 40 e que estudaremos oportunamente.
Uma pequena corrente, suficiente para ativar o LED interno do acoplador pode ser usada para controlar cargas de alta corrente, graças ao circuito adicional no foto-receptor.
Chaves Ópticas
As chaves ópticas são diferentes dos acopladores ópticos no sentido de que seu acionamento é feito por algum tipo de objeto que se interpõe ao feixe de luz que vai do elemento transmissor (LED) ao elemento receptor (que pode variar conforme a aplicação).
Na figura 41 temos a estrutura típica de uma chave óptica que encontra uma enorme gama de aplicações em sistemas de controle.
A luz do elemento emissor (LED) incide no elemento sensor através de uma abertura. Quando um objeto interrompe o feixe de luz fenda, um sinal de comando é produzido no sensor.
Características
Separamos as características em três grupos: do emissor, do receptor e gerais.
As características do emissor são:
a) Corrente no LED para excitação
Essa corrente depende do tipo. Nos tipos para aplicações lineares, evidentemente o que se tem é uma corrente máxima com valores que determinam a faixa de modulação.
Nos comutadores, entretanto, como os dotados de opto-diacs, podemos ter famílias de dispositivos com diversas correntes mínimas exigidas para o disparo.
Assim, as correntes de disparo exigidas para travar a saída (latch) são diferentes conforme a tabela abaixo:
b) Tensão inversa máxima no LED
É a tensão máxima que pode ser aplicada no LED quando polarizado no sentido inverso. É preciso tomar cuidado com essa características, pois se tratam de valores baixos.
c) Tensão direta no LED
É a tensão mínima que, aplicada ao LED o torna condutor e portanto provoca a emissão de luz. Para os tipos comuns essa tensão está na faixa de 1,2 V a 1,5 V.
Características do receptor:
Foto diodos e foto-transistores
Para os foto diodos e foto transistores temos a corrente máxima que eles fornecem quando excitados. Para os foto-transistores poderemos ter famílias de curvas.
Os foto-Darlingtons têm a vantagem de fornecer correntes de saída bem maiores que os foto-transistores e foto diodos comuns. A grande vantagem dos foto-diodos é a velocidade mais rápida.
A dissipação do foto-transistor ou foto-diodo também é importante pois ela vai influir na dissipação total do dispositivo. Ela será dada em mW a uma temperatura ambiente (normalmente 20 oC) e um fator de degradação que indica de quanto ela diminui para cada grau de temperatura acima do valor tomado como referência.
Foto diacs
Para os acopladores com foto-diacs duas são as características que normalmente são especificadas.
A primeira é a corrente de pico do diac quando ele dispara. Essa corrente é importante, pois ela deve ser intensa o suficiente para disparar o TRIAC externo.
Também neste caso, como segunda característica importante temos a dissipação máxima do componente, dada em mW para uma temperatura de referência e um fator de degradação para cada grau centígrado de elevação.
Circuitos disparadores
Para os circuitos disparadores temos informações sobre sua compatibilidade com lógica TTL e CMOS, velocidade máxima, e tensão máxima de alimentação.
Características Gerais
A característica geral mais importante de um isolador óptico é a tensão de isolamento. Normalmente especifica-se o pico de tensão máxima que pode aparecer entre qualquer ponto do receptor e o do emissor suportado pelo dispositivo.
Os tipos comuns podem ter tensões de isolamento de 5000 a 8000 V tipicamente.
Também é dada como característica geral do dispositivo, a dissipação máxima, que é a soma da dissipação máxima do emissor e do receptor, em mW à temperatura ambiente, com um fator de degradação.
IGCT
IGCT significa Integrated Gate Controlled Thyristor, ou tiristores com comporta controlada integrada.
Trata-se de um dispositivo da família dos tiristores, destinado a aplicações no controle de potência. Na figura 42 temos a estrutura do IGCT que tem o mesmo símbolo do SCR.
Conforme podemos observar o sistema de disparo que é formado pela comporta (gate) contém também o catodo (cat), daí a denominação do dispositivo de “integrated gate”.
Nesse dispositivo, toda a corrente de catodo é transferida para a comporta rapidamente de modo que a junção catódica fica quase que instantaneamente polarizada no sentido inverso e o desligamento do componente fica reduzido ao corte do transistor npn.
Uma das vantagens desse componente é que ele não necessita de um circuito amortecedor (snubber) para o desligamento.
Outra vantagem está no fato de que o ganho de comporta é 1, já que toda a corrente de anodo se transfere para a comporta.
Na integração temos ainda que o IGCT e o um diodo de mesma tensão de ruptura podem ser integrados sem problemas.
ESBT
O ESBT ou Emitter-Switched Bipolar Transitor (Transistor Bipolar Comutado por Emissor) consiste num dispositivo que apresenta características ideais para aplicações de comutação em circuitos de alta tensão e alta velocidade.
Esses novos dispositivos possuem uma estrutura combinada com uma parte bipolar que permite obter uma tensão de ruptura muito alta, chegando aos 2 500 V e uma parte de MOSFET de potência que permite uma velocidade de comutação muito alta, chegando aos 150 kHz na configuração em cascata.
A ideia básica é dada pela conexão de um transistor bipolar em série com um MOSFET de potência, conforme mostra a figura 43.
Na figura 44 temos o símbolo adotado para o novo dispositivo.
Quando os dois transistores são ligados da maneira indicada, o disparo é feito pela aplicação de uma tensão na comporta (gate) do MOSFET de potência.
Com isso, obtém-se perdas no estado ON muito baixas devido a baixa tensão VCEsat dos transistores bipolares em relação da VDSon dos transistores MOSFETs.
Também é possível minimizar as perdas de comutação devido à velocidade muito maior de comutação dos Power MOSFETs quando comparados com os tempos longos de desligamentos (Ts + Tf) de um transistor bipolar.
Para entendermos como funciona um transistor deste tipo analisemos os estados em que ele está ligado e desligado, substituindo o MOSFET de comutação de emissor por uma chave, conforme mostra a figura 45.
Neste dispositivo o sinal de controle, que faz a comutação do dispositivo, não é aplicado a sua base, mas sim no emissor. A base do transistor é polarizada de forma fixa de modo a determinar a corrente principal no dispositivo.
Como essa corrente é fixa, ela não influi na comutação do dispositivo. Assim, quem determina a velocidade de comutação é a ação do MOSFET. Como a queda de tensão nesse dispositivo é muito baixa, quando comparada ao VCE(sat) do transistor bipolar mais as perdas de entrada a saturação ocorre rapidamente.
A chave é o MOSFET que é controlado por um sinal externo aplicado a sua comporta
Para desligar o dispositivo, basta interromper a corrente de emissor. Desta forma, como não temos a influência do tempo de resposta do transistor bipolar, o desligamento é muito rápido.
O desligamento pelo emissor tem o mesmo efeito, com uma ação muito rápida. A corrente de dreno do MOSFET cai praticamente a zero instantaneamente, o que faz com que o transistor Bipolar também deixe de conduzir.
Assim, para comutar o transistor bipolar, o que se faz é utilizar um MOSFET que tem uma resposta mais rápida, ligado no seu emissor.
